Magnetorresistencia
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La magnetorresistencia es una propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia eléctrica cuando son sometidas a un campo magnético. Este efecto fue descubierto por William Thomson en el 1857 aunque no fue capaz de disminuir la resistencia en más de un 5% (Hoy en día se llega hasta el 600%). Las investigaciones recientes han permitido descubrir materiales que presentan magnetorresistencia gigante (Giant Magnetoresistance Effect o GMR), magnetorresistencia colosal (Colossal MagnetoResistance o CMR) y magnetorresistencia de efecto túnel (Tunnel Magnetoresistance Effect o TMR).
Todas estas cosas están en la PC de sobremesa, a menos que sea muy antiguo. Los discos duros utilizan bien Magnetoresistencia, bien Magnetoresistencia Gigante. Tanto la MR como la GMR se basan en el espín de los electrones y por eso forman parte de la espintrónica.
Magnetoresistencia [editar]Magnetoresistencia. Las cabezas lectoras de los discos duros están compuestas por un sandwich de elementos tal que su resistencia eléctrica depende del campo magnético. Los “bits” en un disco duro se guardan como un pequeño imán.
La cabeza de lectura magnetoresistiva (MR) tiene una resistencia eléctrica que varía cuando pasa por encima del “pequeño imán” que es un bit. Por tanto, cuando un bit pasa por debajo de la cabeza lectora hay una variación de la resistencia que puede detectarse fácilmente.
martes, 17 de noviembre de 2009
martes, 10 de noviembre de 2009
MAGNETORRESISTENCIA
MAGNETORRESISTENCIA
La magnetorresistencia gigante (en inglés, Giant Magnetoresistance Effect o GMR) es un efecto mecánico cuántico que se observa en estructuras de película delgada compuestas de capas alternadas ferromagnéticas y no magnéticas. Se manifiesta en forma de una bajada significativa de la resistencia eléctrica observada bajo la aplicación de un campo magnético externo: cuando el campo es nulo, las dos capas ferromagnéticas adyacentes tienen una magnetización antiparalela puesto que están sometidas a un acoplamiento ferromagnético débil entre las capas. Bajo efecto de un campo magnético externo, las magnetizaciones respectivas de las dos capas se alinean y la resistencia de la multicapa cae de manera súbita. Los spines de los electrones de la sustancia no magnética se alinean en igual número de manera paralela y antiparalela al campo magnético aplicado, y por tanto sufren un cambio de difusión magnética en una menor medida respecto a las capas ferromagnéticas que se magnetizan de forma paralela.
Descubrimiento [editar]Este efecto fue descubierto de forma independiente en 1988cristalinas de Fe/Cr/Fe por un equipo liderado por Peter Grünberg del Jülich Research Centre, los cuales poseen la patente, y en capas de Fe/Cr por el grupo de Albert Fert de la Universidad de París-Sur, quienes por primera vez observaron el fenómeno en las multicapas que dio lugar al nombre y que primeramente explicaron la física subyacente.
HISTORIA
Un equipo de IBM liderado por Stuart Parkin reconoció rápidamente las posibilidades de utilización del efecto para un sensor de campo magnético y, por consiguiente, para la cabeza de lectura en un disco duro de ordenador y replicó el efecto en capas policristalinas en 1989. En diciembre de 1997 IBM liberó al mercado el primer dispositivo comercial basado en este efecto.
El descubrimiento de esta tecnología supuso para Peter Grünberg y Albert Fert el Premio Nobel de Física del año 2007.
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